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            造成濟南沖孔字結溫產生的原因及對策

            頁面更新時間:2016-07-15 13:40 來源:未知 作者:admin 點擊:
            1、什麼是結溫?
            濟南沖孔字的根本構造是一個半導體的P—N結。試驗指出,當電流流過元件時,P—N結的溫度將上升,嚴厲含義上說,就把P—N結區的溫度界說為LED的結溫。通常因為元件芯片均具有很小的尺度,因而我們也可把芯片的溫度視之為結溫。
            2、產生結溫的緣由有哪些?
            在濟南沖孔字工作時,可存在以下五種狀況促使結溫不同水平的上升:
            a、元件不良的電極構造,視窗層襯底或結區的資料以及導電銀膠等均存在一定的電阻值,這些電阻互相壘加,構成元件的串聯電阻。當電流流過P—N結時,同時也會流過這些電阻,從而產生焦耳熱,引致芯片溫度或結溫的升高。
            b、因為P—N結不可能極端完美,元件的注人功率不會達到100%,也即是說,在濟南沖孔字作業時除P區向N區寫入電荷(空穴)外,N區也會向P區注人電荷(電子),通常狀況下,后一類的電荷注人不會發生光電效應,而以發熱的方式耗費掉了。即便有用的那有些寫入電荷,也不會悉數成為光,有一有些與結區的雜質或缺點相結合,終究也會成為熱。
            c、理論證明,出光效率的限制是招致濟南沖孔字結溫升高的主要緣由。目前,先進的資料生長與元件制造工藝已能使濟南沖孔字極大多數輸入電能轉換成光輻射能,但是由于芯片資料與四周介質相比,具有大得多的折射係數,致使芯片內部產生的極大局部光子(>90%)無法順利地溢出介面,而在芯片與介質介面產生全反射,返回芯片內部并經過屢次內部反射最終被芯片資料或襯底吸收,并以晶格振動的方式變成熱,促使結溫升高。
            d、明顯,濟南沖孔字的熱流失才是決定結溫凹凸的又一個要害條件。散熱才能強時,結溫下降,反之,散熱才干差時結溫將上升。因為環氧膠是低熱導資料,因而P—N結處發生的熱量很難經過通明環氧向上散發到環境中去,大有些熱量經過襯底、銀漿、管殼、環氧粘接層,PCB與熱沉向下發散。明顯,有關資料的導熱才能將直接影響元件的熱流失功率。一個普通型的LED,從P—N結區到環境溫度的總熱阻在300到600℃/w之間,關于一個具有杰出構造的功率型LED元件,其總熱阻約為15到30℃/w。無窮的熱阻區別表明普通型LED元件只能在很小的輸入功率條件下,才干正常地作業,而功率型元件的耗散功率可大到瓦級乃至更高。
            3、降低結溫的途徑有哪些?
            a、減少自身的熱阻;
            b、良好的二次散熱機構;
            c、減少濟南沖孔字與二次散熱機構裝置介面之間的熱阻;
            d、控制額定輸入功率;
            e、降低環境溫度
            濟南沖孔字的輸入功率是元件熱效應的僅有來歷,能量的一有些成為了輻射光能,其餘有些終究均成為了熱,然后抬升了元件的溫度。明顯,減小溫升效應的主要辦法,一是設法提高元件的電光變換功率(又稱外量子功率),使盡可能多的輸入功率轉成為光能,另一個主要的路徑是設法進步元件的熱流失才干,使結溫發生的熱,經過各種路徑散發到周圍環境中去。
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